8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003N6AT1
Table 7. Common Source S-Parameters (VDD
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA, T
A
= 25
°C, 50 Ohm System) (continued)
ff
S11
S21
S12
S22
MHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
2800
0.942
148.1
0.787
32.3
0.023
-3.45
0.828
155.1
2850
0.941
147.2
0.780
31.1
0.023
-3.81
0.826
154.6
2900
0.941
146.3
0.775
29.9
0.023
-4.24
0.824
154.0
2950
0.940
145.4
0.770
28.6
0.024
-4.68
0.822
153.3
3000
0.940
144.6
0.766
27.4
0.024
-5.11
0.821
152.6
3050
0.939
143.8
0.761
26.2
0.024
-5.52
0.819
151.8
3100
0.938
143.0
0.757
25.0
0.025
-5.90
0.818
151.0
3150
0.938
142.3
0.752
23.7
0.025
-6.24
0.816
150.1
3200
0.937
141.7
0.748
22.5
0.025
-6.70
0.814
149.2
3250
0.937
141.1
0.745
21.3
0.026
-7.22
0.813
148.2
3300
0.937
140.5
0.740
20.1
0.026
-7.78
0.813
147.3
3350
0.936
139.9
0.736
18.9
0.027
-8.32
0.811
146.3
3400
0.935
139.3
0.732
17.7
0.027
-8.86
0.810
145.4
3450
0.934
138.8
0.728
16.5
0.027
-9.47
0.809
144.5
3500
0.934
138.2
0.723
15.3
0.028
-10.00
0.808
143.6
3550
0.933
137.6
0.720
14.1
0.028
-10.60
0.807
142.7
3600
0.932
137.0
0.716
13.0
0.028
-11.16
0.807
141.9
3650
0.932
136.4
0.712
11.8
0.028
-11.65
0.807
141.1
3700
0.930
135.8
0.708
10.7
0.029
-12.05
0.807
140.3
3750
0.929
135.1
0.704
9.6
0.029
-12.48
0.806
139.6
3800
0.928
134.5
0.700
8.5
0.029
-12.78
0.806
138.9
3850
0.928
133.9
0.696
7.4
0.029
-13.03
0.805
138.3
3900
0.927
133.2
0.693
6.3
0.030
-13.30
0.804
137.6
3950
0.926
132.6
0.690
5.2
0.030
-13.55
0.804
137.0
4000
0.926
131.8
0.687
4.1
0.030
-13.84
0.802
136.4
4050
0.925
131.1
0.684
3.1
0.030
-14.13
0.801
135.8
4100
0.924
130.4
0.681
1.9
0.031
-14.34
0.799
135.1
4150
0.923
129.7
0.679
0.8
0.031
-14.45
0.798
134.5
4200
0.921
128.9
0.677
-0.2
0.031
-14.48
0.797
134.0
4250
0.920
128.1
0.676
-1.4
0.032
-14.65
0.797
133.4
4300
0.917
127.2
0.675
-2.5
0.032
-14.76
0.796
132.9
4350
0.917
126.3
0.674
-3.7
0.033
-15.08
0.795
132.3
4400
0.916
125.4
0.673
-4.9
0.034
-15.50
0.792
131.8
4450
0.915
124.3
0.673
-6.1
0.034
-15.93
0.791
131.3
4500
0.913
123.2
0.673
-7.4
0.035
-16.40
0.788
130.8
4550
0.912
122.0
0.673
-8.7
0.035
-16.94
0.786
130.2
4600
0.910
120.7
0.674
-10.0
0.036
-17.54
0.783
129.7
4650
0.909
119.4
0.675
-11.4
0.037
-18.24
0.780
129.1
4700
0.908
118.0
0.676
-12.8
0.038
-18.93
0.777
128.6
4750
0.907
116.5
0.679
-14.3
0.038
-19.78
0.773
127.9
4800
0.905
115.0
0.681
-15.9
0.039
-20.65
0.771
127.2
4850
0.903
113.4
0.684
-17.4
0.040
-21.58
0.768
126.4
4900
0.901
111.8
0.686
-19.1
0.041
-22.66
0.765
125.6
4950
0.900
110.2
0.689
-20.7
0.042
-23.74
0.762
124.6
5000
0.898
108.6
0.692
-22.4
0.042
-24.86
0.757
123.6
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